[发明专利]薄膜结构的形成方法、声电换能器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201711473501.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109987568A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 聂林才;范建国;方文斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜结构的形成方法、声电换能器件及其形成方法，本发明实施例通过沉积多个多晶硅层来形成所述薄膜结构，并分别调节每个多晶硅层应力，由此，可以扩大薄膜结构应力调节的范围，获得期望的应力参数。根据本发明实施例的薄膜形成方法制备的声电换能器件的振膜，可以具有较好的应力参数，从而具有更好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜结构 换能器件 声电 多晶硅层 应力参数 薄膜形成 应力调节 振膜 沉积 制备 期望 申请 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜结构的形成方法，包括：在衬底上沉积第一多晶硅层；调节所述第一多晶硅层的应力至预定的第一范围；以及在所述第一多晶硅层上沉积第二多晶硅层以使得第二多晶硅层具有与第一多晶硅层不同类型的应力；以及调节所述第二多晶硅层的应力至预定的第二范围，以使得所述薄膜结构的整体应力在期望的范围中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711473501.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
