[发明专利]一种用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光液及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201711473665.4 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109988507A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘卫丽;王光灵;霍军朝;刘宇翔;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 严晨;许亦琳 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及化学机械抛光技术领域，特别是涉及一种用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种抛光液，按重量百分比计，包括如下组分：磨料10‑59%；表面活性剂0.005‑1%；去离子水40‑89%；pH值调节剂适量；所述抛光液的pH值范围为2‑10。本发明所提供的抛光液可应用于氧化锆陶瓷的化学机械抛光工艺中，采用本发明提供的抛光液对氧化锆进行抛光，可以使得氧化锆陶瓷表面粗糙度小于0.2nm，抛光速率大于6μm/h，并可有效消除凹坑、凸起、划痕等表面缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锆陶瓷 抛光液 化学机械抛光液 抛光 制备 化学机械抛光工艺 磨料 化学机械抛光 表面粗糙度 表面活性剂 重量百分比 表面缺陷 去离子水 氧化锆 凹坑 划痕 凸起 应用 | ||
【主权项】：
1.一种抛光液，按重量百分比计，包括如下组分：磨料 10‑59％；表面活性剂 0.005‑1％；去离子水 40‑89％；pH值调节剂适量；所述抛光液的pH值范围为2‑10。
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