[发明专利]一种消除晶圆翘曲的方法及复合衬底在审
| 申请号： | 201711473791.X | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108183065A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 何钧 | 申请（专利权）人： | 北京品捷电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京志霖律师事务所 11575 | 代理人： | 张文祎 |
| 地址： | 101302 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种消除晶圆翘曲的方法及复合衬底，该方法包括如下步骤：S1：选取一翘曲的晶圆(1)；S2：在所述晶圆(1)的背面沉积一层内部具有应力的应力补偿膜(2)，使得所述应力补偿膜(2)的内部应力与所述晶圆(1)的内部应力相互抵消，得到平整的复合衬底；所述晶圆(1)为碳化硅基碳化硅晶圆或硅基氮化镓晶圆。所述复合衬底包括一晶圆(1)和一应力补偿膜(2)，所述应力补偿膜(2)覆盖于所述晶圆(1)的背面，且所述应力补偿膜(2)的内部应力与所述晶圆(1)的内部应力相互抵消；所述晶圆(1)为碳化硅基碳化硅晶圆或硅基氮化镓晶圆。本发明在翘曲的晶圆背面沉积一层内部具有应力的应力补偿膜，使得应力补偿膜的内部应力与晶圆的内部应力相互抵消，从而消除翘曲现象。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 应力补偿膜 衬底 翘曲 复合 抵消 晶圆翘曲 碳化硅基 氮化镓 碳化硅 沉积 硅基 背面 晶圆背面 平整 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种消除晶圆翘曲的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：选取一翘曲的晶圆(1)；S2：在所述晶圆(1)的背面沉积一层内部具有应力的应力补偿膜(2)，使得所述应力补偿膜(2)的内部应力与所述晶圆(1)的内部应力相互抵消，得到平整的复合衬底；所述晶圆(1)为碳化硅基碳化硅晶圆或硅基氮化镓晶圆。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京品捷电子科技有限公司，未经北京品捷电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711473791.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
