[发明专利]双重图形化方法及双重图形化结构

摘要

本发明涉及一种双重图形化方法及双重图形化结构，包括提供衬底，在衬底上形成硬掩膜层，在硬掩膜层上形成光刻层并使其图案化，硬掩膜层包含碳化物；采用第一蚀刻气体蚀刻硬掩膜层的上部；采用第二蚀刻气体蚀刻硬掩膜层的下部，直至暴露出衬底的上表面，以在硬掩膜层中形成硬掩膜图案；第二蚀刻气体对硬掩膜层的下部的蚀刻模式同时包含物理物性刻蚀和化学生成反应的离子轰击，使硬掩膜图案侧壁间的空白区的最大间隙尺寸及最小间隙尺寸皆控制在空白区的上开口尺寸的容许误差值20％以内。本发明分两次对硬掩膜层进行蚀刻，且两次蚀刻所用蚀刻气体不同，因此保证蚀刻出的硬掩膜图案的侧壁更加垂直。

主权项

1.一种双重图形化方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成硬掩膜层，在所述硬掩膜层上形成光刻层并使其图案化，所述硬掩膜层包含碳化物；蚀刻所述硬掩膜层，采用第一蚀刻气体以所述图案化的光刻层为掩膜蚀刻所述硬掩膜层的上部，但保留所述硬掩膜层的下部未图案化，随后采用第二蚀刻气体以所述图案化的光刻层为掩膜进一步蚀刻所述硬掩膜层的下部，直至暴露出所述衬底的上表面，以在所述硬掩膜层中形成硬掩膜图案，所述第二蚀刻气体对所述硬掩膜层的下部的蚀刻模式同时包含物理物性刻蚀和化学生成反应的离子轰击，使所述硬掩膜图案侧壁间的空白区的最大间隙尺寸及最小间隙尺寸皆控制在所述空白区的上开口尺寸的容许误差值20％以内。