[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201711474311.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994537B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 马瑞吉;林家辉;杨国裕 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/334 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一凹槽以及一第二凹槽于一基底内，然后形成一衬垫层于第一凹槽以及第二凹槽内，形成一第一图案化掩模于该基底上并覆盖第二凹槽，去除第一凹槽内的衬垫层，去除第一图案化掩模，之后再形成一绝缘层于第一凹槽以及第二凹槽内以形成一陷捕隔离结构于第一凹槽内以及一深沟槽隔离结构于第二凹槽内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，该方法包含：形成一第一凹槽以及一第二凹槽于一基底内；形成一衬垫层于该第一凹槽以及该第二凹槽内；形成一第一图案化掩模于该基底上并覆盖该第二凹槽；去除该第一凹槽内的该衬垫层；去除该第一图案化掩模；以及形成一绝缘层于该第一凹槽以及该第二凹槽内，以形成一陷捕隔离结构于该第一凹槽内以及一深沟槽隔离结构于该第二凹槽内。
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