[发明专利]一种制备磁性随机存储器阵列单元的方法有效
申请号: | 201711474396.3 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN109994476B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 张云森 | 申请(专利权)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/11502 | 分类号: | H01L27/11502;G11C11/15 |
代理公司: | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人: | 于晓菁 |
地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种制备磁性随机存储器阵列单元的方法,通过在磁性隧道结电介质中间穿插一层位线通孔刻蚀阻挡层,使之能够阻挡在后续的位线通孔刻蚀工艺中的主刻蚀,并且提供主刻蚀终点光学发射谱判断信号;然后选用刻蚀速率更低、选择比更高的过刻蚀工艺对剩余的电介质和覆盖层进行刻蚀。本发明有效地避免了位线通孔刻蚀最后阶段在硬掩模和磁性隧道结周边电介质保护层的过刻蚀,进而避免了整个磁性随机存储器阵列单元电路的短路。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 磁性 随机 存储器 阵列 单元 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备磁性随机存储器阵列单元的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供表面抛光的带金属通孔的CMOS基底,并在所述基底上沉积底电极金属层、磁性隧道结多层膜和顶电极膜层;步骤二、图形化磁性隧道结图案,刻蚀所述磁性隧道结多层膜形成磁性隧道结,刻蚀所述底电极金属层形成底电极,并用第一覆盖层覆盖所述磁性隧道结和所述底电极;步骤三、在所述第一覆盖层上依次沉积第一电介质层、位线通孔刻蚀阻挡层、第二电介质层,然后对所述第二电介质层进行平坦化,接着在所述第二电介质层上沉积第二覆盖层;步骤四、刻蚀形成位线通孔,并在所述位线通孔内进行金属铜填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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