[发明专利]一种制备磁性随机存储器阵列单元的方法有效

专利信息
申请号: 201711474396.3 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN109994476B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 张云森 申请(专利权)人: 上海磁宇信息科技有限公司
主分类号: H01L27/11502 分类号: H01L27/11502;G11C11/15
代理公司: 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 代理人: 于晓菁
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种制备磁性随机存储器阵列单元的方法,通过在磁性隧道结电介质中间穿插一层位线通孔刻蚀阻挡层,使之能够阻挡在后续的位线通孔刻蚀工艺中的主刻蚀,并且提供主刻蚀终点光学发射谱判断信号;然后选用刻蚀速率更低、选择比更高的过刻蚀工艺对剩余的电介质和覆盖层进行刻蚀。本发明有效地避免了位线通孔刻蚀最后阶段在硬掩模和磁性隧道结周边电介质保护层的过刻蚀,进而避免了整个磁性随机存储器阵列单元电路的短路。
搜索关键词: 一种 制备 磁性 随机 存储器 阵列 单元 方法
【主权项】:
1.一种制备磁性随机存储器阵列单元的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供表面抛光的带金属通孔的CMOS基底,并在所述基底上沉积底电极金属层、磁性隧道结多层膜和顶电极膜层;步骤二、图形化磁性隧道结图案,刻蚀所述磁性隧道结多层膜形成磁性隧道结,刻蚀所述底电极金属层形成底电极,并用第一覆盖层覆盖所述磁性隧道结和所述底电极;步骤三、在所述第一覆盖层上依次沉积第一电介质层、位线通孔刻蚀阻挡层、第二电介质层,然后对所述第二电介质层进行平坦化,接着在所述第二电介质层上沉积第二覆盖层;步骤四、刻蚀形成位线通孔,并在所述位线通孔内进行金属铜填充。
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