[发明专利]双向低电容TVS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711475900.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108321185B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张常军;徐敏杰;周琼琼 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种双向低电容TVS器件及其制造方法中，通过半导体集成工艺形成双向低电容TVS器件由此可以提高双向低电容TVS器件的可靠性。进一步地，在双向低电容TVS器件中形成的第一普通二极管与第一稳压二极管纵向串联以及第二普通二极管与第二稳压二极管纵向串联，降低双向低电容TVS器件的体积。相较于现有技术的双向低电容TVS器件能够较大地减小电容，使电源Vcc对地GND的电容可以达到小于0.9pF，正、反向ESD能力都可以达到大于15kV。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 电容 tvs 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双向低电容TVS器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层形成于所述第一导电类型衬底上；第一导电类型埋层，所述第一导电类型埋层形成于所述第一导电类型外延层中；第二导电类型埋层，所述第二导电类型埋层形成于所述第一导电类型埋层上；第二导电类型外延层，所述第二导电类型埋层形成于所述第一导电类型外延层上；多个隔离结构，所述多个隔离结构贯穿所述第二导电类型外延层，所述多个隔离结构将所述第二导电类型外延层分为多个区域，所述多个区域包括第一区域和第二区域；第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区形成于所述第二区域中；第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区形成于所述第一区域和所述第二导电类型阱区中。
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