[发明专利]一种双向低压ESD倒装二极管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201711476209.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108598075A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 那雪梅;杨敏红;刘韵吉 | 申请（专利权）人： | 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 211113 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种双向低压ESD倒装二极管，器件设有两个相同的二极管，第一个二极管的阳极与第二个二极管的阴极相连作为器件的输入端in，第一个二极管的阴极与第二个二极管的阳极相连作为器件的输出端out，同时保证两个二极管的正向击穿电压比反向击穿电压要低。器件通过匹配同一芯片的两个相同的二极管结构的阳极与阴极互连的方式实现正反向电压对称的工作。该结构既实现了双向都工作在低压状态，又实现了倒装焊工艺，减小了RC延迟，有效地提高了电性能，使器件满足集成电路对低压高速且小型化高性能的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 阴极 阳极 二极管结构 倒装 反向击穿电压 正向击穿电压 正反向电压 低压状态 倒装焊 电性能 输出端 输入端 有效地 互连 减小 制备 集成电路 匹配 对称 芯片 保证 | ||
【主权项】：
1.一种双向低压ESD倒装二极管，其特征是器件设有两个相同的二极管，第一个二极管的阳极与第二个二极管的阴极相连作为器件的输入端in，第一个二极管的阴极与第二个二极管的阳极相连作为器件的输出端out，同时保证两个二极管的正向击穿电压比反向击穿电压要低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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