[发明专利]基板处理装置、使用其测量排出量的方法和基板处理方法有效
申请号: | 201711476724.3 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108269750B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 金载容;吴来泽;李泽烨 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01F1/00;B08B3/02 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及基板处理装置、使用其测量排出量的方法和基板处理方法。所述基板处理装置包括:壳体,其提供用于在其中执行基板处理工艺的空间;支撑单元,其在壳体内支撑基板并旋转基板;处理液喷嘴,其将处理液供应到位于支撑单元上的基板;和流量测量单元,其测量由处理液喷嘴排出的处理液的排出量,该流量测量单元包括:容器,其位于壳体的外部并具有容纳空间,容纳空间的上侧敞开并且在其内部容纳有从处理液喷嘴排出的处理液;测量构件,其被配置成测量容纳在容纳空间中的处理液的量;和排放管线,排放管线将容器中的处理液排出。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 使用 测量 排出 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,包括:壳体,所述壳体提供用于在其中执行基板处理工艺的空间;支撑单元,所述支撑单元在所述壳体内支撑所述基板并旋转所述基板;处理液喷嘴,所述处理液喷嘴将处理液供应到位于所述支撑单元上的基板;和流量测量单元,所述流量测量单元测量由所述处理液喷嘴排出的处理液的排出量;其中所述流量测量单元包括:容器,所述容器位于所述壳体的外部并具有容纳空间,所述容纳空间的上侧敞开并且在所述容纳空间内部容纳有从所述处理液喷嘴排出的处理液;测量构件,所述测量构件被配置成测量容纳在所述容纳空间中的所述处理液的量;和排放管线,所述排放管线将所述容器中的处理液排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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