[发明专利]一种磁性随机存储器的制作方法有效
| 申请号： | 201711477097.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994600B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁性随机存储器的制作方法，包括如下步骤：(1)在基底上沉积底电极金属层、磁性隧道结多层膜和硬掩模；(2)图形化并刻蚀硬掩模和磁性隧道结多层膜，以形成存储器记忆单元，然后沉积第一覆盖层覆盖磁性隧道结和剩余的硬掩模；(3)图形化并刻蚀形成底电极和假底电极，然后沉积第二覆盖层覆盖被刻蚀暴露的底电极和假底电极边缘；(4)沉积电介质并磨平，然后在存储区域制作位线通孔，在逻辑区域制作逻辑通孔。由于在图案化磁性隧道结之后，才对底电极进行图案化，将会避免先进行图案化带来的底电极顶部的表面不平整；由于多加了一道底电极掩模，可以随意调整底电极的大小，有效避免了底电极太小带来的铜损伤或刻蚀不足。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性随机存储器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供表面抛光的带金属通孔的CMOS基底，并在所述基底上沉积底电极金属层、磁性隧道结多层膜和硬掩模；步骤二、图形化并刻蚀所述硬掩模和所述磁性隧道结多层膜，以形成存储器记忆单元，然后沉积第一覆盖层覆盖刻蚀形成的磁性隧道结和刻蚀剩余的硬掩模；步骤三、图形化底电极图案，并刻蚀所述底电极金属层，以形成底电极和假底电极，然后沉积第二覆盖层覆盖被刻蚀暴露的所述底电极和所述假底电极边缘；步骤四、在所述第二覆盖层上沉积电介质，并采用平坦化工艺磨平所述电介质，然后在存储区域制作位线通孔，在逻辑区域制作逻辑通孔。
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