[发明专利]基于PS小球纳米掩模的聚酰亚胺纳米结构的制备方法在审
| 申请号： | 201711478053.4 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108358161A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 何洋;吕湘连;苑伟政;王颖;卢江波;楼之源 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 陈星 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于PS小球纳米掩模的聚酰亚胺纳米结构的制备方法，属于微纳结构制备领域。该方法将PS小球和含硅聚酰亚胺薄膜结合起来，将单层PS小球与聚酰亚胺薄膜复合，通过RIE刻蚀调整PS小球之间的尺寸，再以PS小球为掩膜版，使用四氟化碳气体对含硅的聚酰亚胺进行RIE刻蚀，利用四氟化碳气体对硅的刻蚀速率远远大于对PS胶体球的刻蚀速率，实现聚酰亚胺薄膜纳米结构制备。本发明首次提出了一种基于PS小球为掩模的聚酰亚胺纳米结构全参数可控制备方法，尤其是在聚酰亚胺薄膜的纳米结构全尺寸可控制备，这对基于聚酰亚胺薄膜的柔性微器件加工有重要的指导作用。 | ||
| 搜索关键词： | 小球 纳米结构 聚酰亚胺薄膜 聚酰亚胺 刻蚀 制备 掩模 四氟化碳气体 可控制 含硅聚酰亚胺 微纳结构 胶体球 全参数 微器件 掩膜版 单层 薄膜 复合 加工 | ||
【主权项】：
1.基于PS小球为掩模的含硅聚酰亚胺纳米结构制备的方法,其特征在于，具体包括如下步骤：步骤一：利用酸碱表面处理法对含硅聚酰亚胺薄膜表面进行改性，提高表面粘接性能；步骤二：制备单层致密PS小球纳米掩膜；步骤三：将单层致密PS小球纳米掩膜复合于含硅聚酰亚胺薄膜之上；步骤四：使用氧气对含硅的聚酰亚胺进行RIE刻蚀，以调节PS纳米掩膜间距及半径；步骤五：聚酰亚胺纳米结构全参数可控制备：包括两个子步骤：子步骤一：使用四氟化碳气体对含硅的聚酰亚胺进行RIE刻蚀；子步骤二：将刻蚀后的含硅聚酰亚胺基底放在四氢呋喃中浸泡，去除含硅聚酰亚胺薄膜表面的PS小球纳米掩膜，得到含硅聚酰亚胺纳米结构。
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