[发明专利]具有高光谱调节范围的氧化钨电致变色薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711478200.8 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108298832B 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 赵高凌;谢君樑;韩高荣 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 33224 杭州天勤知识产权代理有限公司 代理人: 朱朦琪<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 310013 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种具有高光谱调节范围的氧化钨电致变色薄膜的制备方法,以六氯化钨和草酸为原料配置前驱体溶液,再经溶剂热反应制备得到;所述的前驱体溶液中,六氯化钨的浓度为1~15g/L。本发明公开了一种具有高光谱调节范围的氧化钨电致变色薄膜的制备方法,通过引入草酸作为结构调整剂,在低W源浓度下提高氧化钨电致变色薄膜在导电基底上的附着量,有效提高光谱调节范围,增加原料利用率。该制备方法简单,成本低廉,安全可靠。
搜索关键词: 电致变色薄膜 制备 氧化钨 高光谱 草酸 前驱体溶液 六氯化钨 结构调整剂 溶剂热反应 原料利用率 光谱调节 原料配置 导电基 附着量 引入
【主权项】:
1.一种具有高光谱调节范围的氧化钨电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,以六氯化钨和草酸为原料配制前驱体溶液,再经溶剂热反应制备得到;具体包括:/n(1)将草酸与有机溶剂混合,搅拌均匀后再加入六氯化钨,得到前驱体溶液:所述前驱体溶液中,六氯化钨的浓度为1~15g/L,六氯化钨与草酸的质量比为1~4:1~10;/n(2)将清洗后的透明导电基片浸入步骤(1)制备的前驱体溶液中,经溶剂热反应后得到W18O49电致变色薄膜;所述的溶剂热反应温度为150~200℃,时间为8~15h。/n
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