[发明专利]一种二氧化碳选择性渗透薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201711478248.9 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108097058B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 韩景宾;许晓芝;王嘉杰;董思源;卫敏 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | B01D67/00 | 分类号： | B01D67/00;B01D69/10;B01D71/02;B01D53/22 |
| 代理公司： | 11569 北京高沃律师事务所 | 代理人： | 刘奇<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100020 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二氧化碳选择性渗透薄膜，包括基底和覆盖在所述基底单面的二氧化碳气体分离层；所述二氧化碳气体分离层包括垂直于基底的碳酸根插层的水滑石纳米片和填充在所述碳酸根插层的水滑石纳米片间的聚合物；所述碳酸根插层的水滑石纳米片的厚度为20～120nm。本发明提供的二氧化碳选择性渗透薄膜对二氧化碳同时具有高选择性和渗透性。本发明还提供了所述二氧化碳选择性渗透薄膜的制备方法及其在二氧化碳分离领域中的应用。将本发明提供的二氧化碳选择性渗透薄膜用于二氧化碳分离时，对二氧化碳同时具有较好的选择性和渗透性。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化碳选择性 薄膜 水滑石纳米片 碳酸根插层 基底 二氧化碳分离 二氧化碳气体 分离层 渗透性 二氧化碳 制备方法和应用 高选择性 聚合物 填充 制备 垂直 覆盖 应用 | ||
【主权项】：
1.一种二氧化碳选择性渗透薄膜，包括基底和覆盖在所述基底单面的二氧化碳气体分离层；所述二氧化碳气体分离层包括垂直于基底的碳酸根插层的水滑石纳米片和填充在所述碳酸根插层的水滑石纳米片间的聚合物；所述碳酸根插层的水滑石纳米片的厚度为20～120nm；/n所述聚合物为聚丙烯酸树脂或聚乙烯亚胺；/n所述二氧化碳选择性渗透薄膜的制备方法包括以下步骤：/n(1)将水铝石凝胶涂覆在基底上，得到水铝石涂覆的基底；/n(2)将所述步骤(1)得到的水铝石涂覆的基底、二价金属离子、尿素和去离子水混合，得到混合料液；所述二价金属离子包括Mg2+、Zn2+或Ni2+；/n(3)将所述步骤(2)得到的混合料液进行晶化反应，得到初级薄膜，所述初级薄膜包括基底和垂直于基底生长的碳酸根插层的水滑石纳米片；所述晶化反应的温度为70～90℃，所述晶化反应的时间为20～30h；/n(4)将聚合物旋涂于初级薄膜生长有碳酸根插层的水滑石纳米片的表面，得到二氧化碳选择性渗透薄膜。/n
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