[发明专利]铜-硅复合负极材料、其制备方法和含其的锂电池在审
| 申请号： | 201711478926.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108232149A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李冰;沈奇欣;陈刚;郭卿君 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;邹玲 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了铜‑硅复合负极材料的制备方法，包括配置形成含有硅源和铜源的[BMP]Tf2N离子液体或含有硅源和铜源的[BMP]TFSI离子液体，采用工作电极、参比电极和对电极为三电极，经过恒电位沉积后获得，其中，所述硅源为SiCl4和SiHCl3中的一种或两种；所述铜源为CuCl、Cu(TfO)2和Cu(TfO)中的一种或一种以上，采用铜片作为工作电极，控制工作电极的电位相对于Pt电极在‑1.8V～‑2.3V，控制沉积温度在15℃～40℃，沉积时间为3600秒～14400秒，本发明缓解硅和硅复合负极材料在充放电过程中的体积膨胀效应，提高硅和硅复合负极材料的导电性、循环性能及倍率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 负极材料 硅复合 工作电极 硅源 铜源 离子液体 沉积 制备 电位 体积膨胀效应 导电性 充放电过程 恒电位沉积 倍率性能 参比电极 循环性能 三电极 锂电池 铜片 缓解 配置 | ||
【主权项】：
1.铜‑硅复合负极材料的制备方法，其特征在于，包括配置形成含有硅源和铜源的[BMP]Tf2N离子液体或者含有硅源和铜源的[BMP]TFSI离子液体，采用工作电极、参比电极和对电极为三电极，经过恒电位沉积后获得；其中，所述硅源为SiCl4和SiHCl3中的一种或两种；所述铜源为CuCl、Cu(TfO)2和Cu(TfO)中的一种或一种以上；其中，采用铜片作为工作电极，控制工作电极的电位相对于Pt电极在‑1.8V～‑2.3V，控制沉积温度在15℃～40℃，沉积时间为3600秒～14400秒。
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