[发明专利]一种发光二极管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201711479739.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108336192B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/22 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法，属于半导体技术领域。包括：提供一衬底；在衬底上生长原子极化调整层，原子极化调整层是由金属元素和氮元素形成的化合物，金属元素包括铝和镓中的至少一个，原子极化调整层与设置在衬底上的表面相反的表面为氮极性表面；在原子极化调整层上依次生长氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层。本发明通过原子极化调整层释放衬底和氮化镓之间晶格失配产生的应力，抑制衬底和氮化镓之间晶格失配产生的位错和缺陷延伸到多量子阱层，从而提高多量子阱层的生长质量，避免极化效应，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 原子极化 调整层 衬底 多量子阱层 金属元素 晶格失配 氮化镓 生长 半导体技术领域 发光二极管外延 未掺杂氮化镓层 氮化镓缓冲层 电子阻挡层 发光二极管 发光效率 极化效应 氮极性 氮元素 位错 制备 释放 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：/n提供一衬底；/n在所述衬底上生长原子极化调整层，所述原子极化调整层是由金属元素和氮元素形成的化合物，所述金属元素包括铝和镓中的至少一个，所述原子极化调整层与设置在所述衬底上的表面相反的表面为氮极性表面；/n在所述原子极化调整层上依次生长氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层；/n当所述金属元素只包括铝时，所述在所述衬底上生长原子极化调整层，包括：/n采用氨气对所述衬底的表面进行处理；/n控制生长温度为900℃～1200℃，Ⅴ/Ⅲ比为40～200，采用氨气和三甲基铝生长原子极化调整层；/n当所述金属元素只包括镓时，所述在所述衬底上生长原子极化调整层，包括：/n采用氨气对所述衬底的表面进行处理；/n控制生长温度为900℃～1200℃，Ⅴ/Ⅲ比为40～200，采用氨气和三甲基镓生长原子极化调整层；/n当所述金属元素包括铝和镓时，所述在所述衬底上生长原子极化调整层，包括：/n采用氨气对所述衬底的表面进行处理；/n控制生长温度为900℃～1200℃，Ⅴ/Ⅲ比为40～200，采用氨气、三甲基铝和三甲基镓生长原子极化调整层。/n
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