[发明专利]选择性图案化制备二硫化铪氮化硼异质结材料的方法在审
| 申请号： | 201711480048.7 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108198753A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王登贵;张兴旺;尹志岗;孟军华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/027;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种选择性图案化制备二硫化铪氮化硼HfS2/h‑BN异质结材料的方法，其包括以下步骤：步骤1、将h‑BN晶畴或薄膜材料转移至目标衬底上；步骤2、对转移至目标衬底上的h‑BN进行目标图案化光刻；步骤3、在氧气气氛下对h‑BN衬底进行退火处理，以去除h‑BN表面残留的有机物；步骤4、退火完成后，在h‑BN衬底表面生长HfS2原子晶体，选择性制备HfS2/h‑BN异质结材料。本发明制备过程简单、成本低、可控性强，对基于HfS2/h‑BN材料的光电子学器件的大规模集成化生产和应用具有重大意义。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结材料 衬底 选择性图案化 氮化硼 硫化 制备 退火 大规模集成化 光电子学器件 选择性制备 薄膜材料 表面残留 衬底表面 目标图案 退火处理 氧气气氛 制备过程 重大意义 有机物 可控性 光刻 晶畴 去除 生长 应用 生产 | ||
【主权项】：
1.一种选择性图案化制备二硫化铪氮化硼HfS2/h‑BN异质结材料的方法，其包括以下步骤：步骤1、将h‑BN晶畴或薄膜材料转移至目标衬底上；步骤2、对转移至目标衬底上的h‑BN进行目标图案化光刻；步骤3、在氧气气氛下对h‑BN衬底进行退火处理，以去除h‑BN表面残留的有机物；步骤4、退火完成后，在h‑BN衬底表面生长HfS2原子晶体，选择性制备HfS2/h‑BN异质结材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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