[发明专利]复合量子点、量子点固态膜及其应用在审
申请号: | 201711480574.3 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN109988573A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 程陆玲;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/66 | 分类号: | C09K11/66;H01L33/06;B82Y40/00;B82Y20/00 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 黄志云 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种复合量子点,所述复合量子点为卤化物阴离子修饰的量子点,包括量子点颗粒,以及结合在所述量子点颗粒表面的卤化物阴离子。本发明提供的复合量子点,包括量子点颗粒,以及结合在所述量子点颗粒表面的卤化物阴离子。所述复合量子点,具有电负性特征,可以采用电沉积的方法沉积制备量子点固态膜。同时,具有上述特征的所述复合量子点,不仅不会改变量子点本身的光学特性,而且还能提高量子点的稳定性和电荷传导性能,从而可以通过电沉积的方法制备量子点固态膜。 | ||
搜索关键词: | 量子点 复合量子点 卤化物阴离子 固态膜 颗粒表面 电沉积 制备 电荷传导 光学特性 电负性 沉积 修饰 应用 | ||
【主权项】:
1.一种复合量子点,其特征在于,所述复合量子点为卤化物阴离子修饰的量子点,包括量子点颗粒,以及结合在所述量子点颗粒表面的卤化物阴离子。
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