[发明专利]化学机械研磨方法、系统及金属插塞的制备方法有效

专利信息
申请号: 201711480651.5 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN109986456B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 蔡长益 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: B24B37/005 分类号: B24B37/005;B24B37/34;B24B57/02;B24B1/00;H01L21/304
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供化学机械研磨方法、系统及金属插塞的制备方法,化学机械研磨方法包括如下步骤:1)提供形成有介质层的基底,介质层上形成有金属层;2)将基底进行第一次化学机械研磨,以去除覆盖于介质层表面的部分金属层,第一次化学机械研磨过程中,研磨液以第一流速供给;3)对基底进行第二次化学机械研磨,使残留于介质层表面的金属层完全去除,第二次化学机械研磨过程中,研磨液以第二流速供给,第二流速大于第一流速。本发明即可以控制研磨时间、节约生产成本,又研磨后得到金属插塞顶部不会存在凹陷,使得金属插塞具有较低的阻值。
搜索关键词: 化学 机械 研磨 方法 系统 金属 制备
【主权项】:
1.一种化学机械研磨方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:1)提供形成有介质层的基底,所述介质层上形成有金属层;2)将所述基底正面朝下置于研磨垫上进行第一次化学机械研磨,以去除覆盖于所述介质层表面的部分所述金属层,其中,所述第一次化学机械研磨过程中,研磨液以第一流速供给,在步骤2)后所述介质层表面具有残留的所述金属层;及,3)对所述基底进行第二次化学机械研磨,在步骤3)后,所述介质层表面的所述金属层去除,其中,所述第二次化学机械研磨过程中,所述研磨液以第二流速供给,所述第二流速大于所述第一流速,使得第二次化学机械研磨的研磨速率小于第一次化学机械研磨的研磨速率。
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