[发明专利]缓研磨去除多晶硅表面凸块缺陷的方法及半导体工艺方法有效
| 申请号： | 201711480652.X | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109986458B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡长益 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/04;B24B37/005;B24B49/16;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种缓研磨去除多晶硅表面凸块缺陷的方法及半导体工艺方法，包含以下步骤：1）将包含多晶硅层的半导体结构置于化学机械研磨设备中，多晶硅层的表面形成有凸块缺陷；2）使用包含二氧化铈研磨颗粒的研磨缓冲液对多晶硅层进行化学机械研磨，以去除多晶硅层表面的凸块缺陷，研磨缓冲液呈弱酸性，以防止多晶硅层的多晶硅在化学机械研磨过程中被氧化而形成二氧化硅。本发明通过使用包含二氧化铈研磨颗粒的酸性研磨缓冲液对多晶硅层进行化学机械研磨，由于在酸性环境下所述二氧化铈研磨颗粒去除所述多晶硅的速率非常慢，在去除位于多晶硅层表面的凸块缺陷的同时，可以有效控制去除的多晶硅层的厚度，从而减少多晶硅层的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 去除 多晶 表面 缺陷 方法 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种缓研磨去除多晶硅表面凸块缺陷的方法，其特征在于，所述方法至少包含以下步骤：1)将包含多晶硅层的半导体结构置于化学机械研磨设备中，其中，所述多晶硅层的表面形成有凸块缺陷；及，2)使用包含二氧化铈研磨颗粒的研磨缓冲液对所述多晶硅层进行化学机械研磨，以去除所述多晶硅层表面的凸块缺陷，其中，所述研磨缓冲液呈弱酸性，以防止所述多晶硅层的多晶硅在化学机械研磨过程中被氧化而形成二氧化硅。
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