[发明专利]半导体存储器件的检测电路及半导体存储器件有效
| 申请号： | 201711480965.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994146B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;王珺 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体存储器件的检测电路及半导体存储器件。检测电路包括电阻单元和参考电阻，两者在阻抗端点串联组成串联支路；第一比较器和第二比较器的第一输入端连接阻抗端点，第一比较器的第二输入端连接参考电压提供单元的第一输出端；第二比较器的第二输入端连接参考电压提供单元的第二输出端；参考电压提供单元的第一输出端用于提供第一参考电压，参考电压提供单元的第二输出端用于提供第二参考电压，且第一参考电压小于第二参考电压；译码单元用于接收第一比较信号和第二比较信号，并根据第一比较信号和第二比较信号输出用于判断阻抗端点状态的信号。本发明实施例能够快速实现对阻抗端点的状态的判断。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 检测 电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件的检测电路，其特征在于，包括：电阻单元和参考电阻，两者在阻抗端点串联组成串联支路，所述串联支路的一端接地，所述串联支路的另一端连接电源；参考电压提供单元；第一比较器，所述第一比较器的第一输入端连接所述阻抗端点，所述第一比较器的第二输入端连接所述参考电压提供单元的第一输出端；第二比较器，所述第二比较器的第一输入端连接所述阻抗端点，所述第二比较器的第二输入端连接所述参考电压提供单元的第二输出端；其中，所述参考电压提供单元的第一输出端用于提供第一参考电压，所述参考电压提供单元的第二输出端用于提供第二参考电压，且所述第一参考电压小于所述第二参考电压；所述第一比较器用于比较所述阻抗端点的电压和第一参考电压并输出第一比较信号；所述第二比较器用于比较所述阻抗端点的电压和第二参考电压并输出第二比较信号；译码单元，用于接收所述第一比较信号和所述第二比较信号，并根据所述第一比较信号和所述第二比较信号输出用于判断所述阻抗端点状态的信号。
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