[发明专利]一种基于LDS工艺的近场通讯天线及其通讯设备在审
申请号: | 201711482116.3 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN109994826A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 潘英鹤;马超;王宗顺 | 申请(专利权)人: | 深圳市海德门电子有限公司;上海德门电子科技有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q7/00;H01Q1/24;H01Q1/22 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 翁惠瑜 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种基于LDS工艺的近场通讯天线及其通讯设备,所述近场通信设备包括线圈层和磁性材料层,所述线圈层为由LDS工艺制成的线圈层,所述线圈层的厚度为0.005mm~0.015mm,所述线圈层的电阻小于或等于1Ω,电感为1‑2μH。与现有技术相比,本发明采用LDS工艺实现,无需人力贴合,适合工业大量生产,天线整体厚度较薄,一致性好,性能稳定,可以满足更多通讯设备的结构和性能要求。 | ||
搜索关键词: | 线圈层 通讯设备 近场通讯天线 近场通信设备 电感 磁性材料层 工艺实现 天线整体 性能要求 一致性好 电阻 贴合 | ||
【主权项】:
1.一种基于LDS工艺的近场通讯天线,包括线圈层和磁性材料层,其特征在于,所述线圈层为由LDS工艺制成的线圈层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市海德门电子有限公司;上海德门电子科技有限公司,未经深圳市海德门电子有限公司;上海德门电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711482116.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。