[发明专利]一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置在审
| 申请号： | 201711482369.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108103569A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;黄嘉丽;贺广东;黄毅;雷丹;王琦琨;王智昊;龚加玮 | 申请（专利权）人： | 苏州奥趋光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215699 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置，包括用于放置氮化铝粉源/氮化铝烧结体的坩埚本体、设于坩埚本体顶部的坩埚盖、设于坩埚本体中的位于坩埚盖下方的籽晶台、设于籽晶台下方的导流加热罩，导流加热罩沿远离籽晶台的方向向下逐渐径向张开，导流加热罩用于将热量导向籽晶台的边缘，使籽晶台的边缘温度大于籽晶台的中心温度。本发明一种生长氮化铝单晶的坩埚装置，通过设置导流加热罩，使得籽晶台的边缘温度高于籽晶台的中心温度，有效的抑制籽晶台边缘的多晶形成；籽晶台中心温度相对较低，为籽晶诱导AlN单晶生长提供有利条件；导流加热罩使气体集中往籽晶台中心部位传输，有效的抑制了籽晶周围多晶的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 加热罩 导流 氮化铝单晶 坩埚本体 坩埚装置 物理气相传输法 生长 坩埚盖 多晶 氮化铝烧结体 氮化铝粉 径向张开 热量导向 台边缘 诱导 传输 | ||
【主权项】：
1.一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置，其特征在于：包括用于放置氮化铝粉源/氮化铝烧结体的坩埚本体、设于所述坩埚本体顶部的坩埚盖、设于所述坩埚本体中的位于所述坩埚盖下方的籽晶台、设于所述籽晶台下方的导流加热罩，所述导流加热罩沿远离所述籽晶台的方向向下逐渐径向张开，所述导流加热罩位于所述氮化铝粉源/氮化铝烧结体的上方，所述导流加热罩，可作为发热源，用于将热量导向所述籽晶台的边缘，使所述籽晶台的边缘温度大于所述籽晶台的中心温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州奥趋光电技术有限公司，未经苏州奥趋光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711482369.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
