[发明专利]一种双镀层键合铜丝的制备方法有效
| 申请号： | 201711482705.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108198762B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 崔成强;杨斌;赖韬;张昱 | 申请（专利权）人： | 广东禾木科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 528225 广东省佛山市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双镀层键合铜丝的制备方法，包括以下步骤：将铜芯依次进行粗拉丝、半精拉丝和精拉丝，得到铜丝；将所述铜丝进行退火，然后依次电镀钯层和金层，再次退火，得到双镀层键合铜丝。本发明通过将铜芯进行粗拉丝、半精拉丝和精拉丝预处理后退火，再电镀钯层和金层，然后再次退火，使制得的双镀层键合铜丝具有较好的抗拉强度，可以有效降低拉制过程中的断线率，提高生产效率。实验结果表明：该方法制备的双镀层键合铜丝的拉力强度为6.40～8.12gf。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镀层 铜丝 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双镀层键合铜丝的制备方法，包括以下步骤：将铜芯依次进行粗拉丝、半精拉丝和精拉丝，得到铜丝；将所述铜丝进行退火，然后依次电镀钯层和金层，再次退火，得到双镀层键合铜丝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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