[发明专利]一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法

摘要

本申请公开了一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法，包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，所述电子传输层为溶胶‑凝胶法制备的金属氧化物薄膜，所述的电子传输层的上表面具有界面修饰层。所述QLED为倒置结构器件，可与成熟的n沟道a‑Si基TFT驱动电路集成，且通过选择透明的阴极或阳极可实现底发射、顶发射，顶底发射透明器件。本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法引入电子传输层修饰层，可以有效降低阴极的功函数，并改善电子传输层的形貌，减少电子传输层对量子点发光层的影响。本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管的效率得到了显著提升，其效率遥遥领先于其他倒置量子点器件。

主权项

1.一种倒置结构量子点发光二极管，包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，其特征在于：所述电子传输层为溶胶‑凝胶法制备的金属氧化物薄膜，所述的电子传输层的上表面具有界面修饰层。