[发明专利]涉及多NAND闪存的并行访问方法、固态硬盘和计算机在审

专利信息
申请号: 201711483137.7 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108108309A 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 黄敏;陈大庆;殷艳超;许宜申;吴迪;陶智;詹耀辉 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 冯瑞;杨慧林
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种多NAND闪存组成的存储系统中的并行访问方法,所述NAND闪存的数量为N,通道的数量等于NAND闪存的数量,所述NAND闪存的物理页的数量为M,一次连续的请求的逻辑地址为0到M*N‑1,其中,M和N都是正整数,M≥2,N≥2,包括:所述连续的请求通过队列管理器,对于第i通道的第j次请求,分配的逻辑地址为M*N‑1‑i*N‑j;依次经过闪存转译层地址映射、请求分配管理器和NAND闪存控制器后写入到多NAND闪存组成的存储系统中。系统I/O性能提高,减少了基于NAND Flash SSD的垃圾回收时脏块的擦除次数及有效页复制次数。发明还涉及一种多NAND闪存组成的存储系统中的访问方法、固态硬盘和计算机。
搜索关键词: 存储系统 并行访问 固态硬盘 逻辑地址 队列管理器 地址映射 垃圾回收 请求分配 控制器 管理器 计算机 物理页 有效页 正整数 转译层 擦除 闪存 写入 复制 分配 访问
【主权项】:
1.一种多NAND闪存组成的存储系统中的并行访问方法,所述NAND闪存的数量为N,所述通道的数量等于NAND闪存的数量,所述NAND闪存的物理页的数量为M,一次连续的请求的逻辑地址为0到M*N-1,其中,M和N都是正整数,M≥2,N≥2,其特征在于,包括:所述连续的请求通过队列管理器,对于第i通道的第j次请求,分配的逻辑地址为M*N-1-i*N-j;依次经过闪存转译层地址映射、请求分配管理器和NAND闪存控制器后写入到多NAND闪存组成的存储系统中。
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