[发明专利]铜硅一体化电极及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铜硅一体化电极及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：将硅粉与铜粉进行混合，得到铜硅混合粉末，将铜硅混合粉末球磨30‑70h，得到铜硅复合粉；将铜硅复合粉与有机物混合，得到第一混合物；对第一混合物进行研磨，得到铸膜液；刮膜：将铸膜液置于刮膜板上，使用刮膜器对铸膜液进行刮膜处理；随后将刮膜后的铸膜液放入水中进行溶剂‑非溶剂相转换，得到生坯；烧结：烧结分为两步，首先在空气中对生坯进行加热，得到不含有机物的生坯，随后在氢气气氛下将不含有机物的生坯还原，得到还原后的多孔铜硅膜；将还原后的多孔铜硅膜在辊压机上辊压后即可得到铜硅一体化电极。本发明的方法简易并且高效，制备得到的电极循环稳定性好。

主权项

1.一种铜硅一体化电极的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：生坯的制备：将粒径为80‑500nm的硅粉与粒径为1‑10μm的铜粉进行混合，得到铜硅混合粉末，将所述铜硅混合粉末球磨30‑70h，得到铜硅复合粉；溶剂混合：将所述铜硅复合粉与聚丙烯腈和N‑甲基吡咯烷酮混合，得到第一混合物；研磨：对所述第一混合物进行研磨，得到铸膜液；刮膜：将所述铸膜液置于刮膜板上，使用刮膜器对所述铸膜液进行刮膜处理；随后将刮膜后的铸膜液放入水中进行溶剂‑非溶剂相转换，得到生坯；烧结：所述烧结分为两步，首先在空气中对所述生坯进行加热，其中，升温速度为1‑9℃/min，加热温度在300‑700℃，保温2‑6h，之后得到不含有机物的生坯，随后在氢气气氛下将所述不含有机物的生坯还原，其中，升温速度为10‑15℃/min，烧结温度在700‑1000℃，保温30‑60min，之后得到还原后的多孔铜硅膜；制备电极：将所述还原后的多孔铜硅膜在辊压机上辊压后即可得到铜硅一体化电极。