[发明专利]一种量子点及其制备方法与应用

摘要

本发明公开一种量子点及其制备方法与应用，方法包括步骤：在已形成的具有窄能带隙的M¹X¹二元化合物量子点核中加入离子半径较小的M²进行离子交换反应，可控的离子交换反应可以有效改善量子点的尺寸和组分均匀性，从而有效收窄了量子点的发光峰宽；同时，由于对应宽能带隙的金属元素M²发生合金化进入原第一量子点核，使得第一量子点核的有效玻尔半径减小，即弱化了在相同尺寸下的量子尺寸效应，从而也有助于进一步减小量子点的发光峰宽。由于对应宽能带隙的金属元素M²发生合金化进入原第一量子点核，使得第二量子点核M¹M²X¹相比原有第一量子点核M¹X¹，发光峰波长发生蓝移。

主权项

1.一种量子点的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供第一量子点核生长反应体系，进行第一量子点核生长，所述第一量子点核生长反应体系中的前驱体为金属元素M¹的前驱体和非金属元素X¹的前驱体，所述第一量子点核中的金属元素为金属元素M¹；在所述第一量子点核M¹X¹生长过程中，向所述第一量子点核生长反应体系中加入金属元素M²的前驱体；打断第一量子点核的生长，使所述金属元素M²与所述第一量子点核M¹X¹中的金属元素M¹进行阳离子交换，进行第二量子点核M¹M²X¹的生长；得到第二量子点核M¹M²X¹，在所述第二量子点核M¹M²X¹表面形成第一半导体壳层，得到所述量子点；所述金属元素M²具有比金属元素M¹更小的离子半径。