[发明专利]一种耗尽型VDMOS的制造方法

摘要

本发明公开了一种耗尽型VDMOS的制造方法，其特征在于：通过采用版图和流程设计，利用局部厚氧屏蔽注入技术和孔区硅衬底过刻技术，能在不增加单独的光刻层或其他复杂工艺的前提下，实现耗尽型VDMOS的制备。本发明能较好的兼容常规增强型VDMOS制造流程，既能确保栅氧化层的特性不降低，又解决了现有的耗尽型VDMOS制造方法中成本较高的问题。

主权项

1.一种耗尽型VDMOS的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供第一掺杂类型的掺杂衬底；在所述衬底上形成第一掺杂类型的外延层；2)在所述外延层上进行保护环光刻，然后注入第二掺杂类型杂质，去除光刻层，进行高温推进形成保护环；3)在所述外延层上进行场氧氧化，光刻刻蚀开出有源区，保留NECK区厚氧和保护环区厚氧；再进行阱光刻，注入第二掺杂类型杂质，去除光刻层，进行高温推进形成阱区；4)以所述NECK区厚氧和保护环区厚氧作为阻挡层，进行耗尽沟道调制注入，注入杂质为第一掺杂类型杂质；5)在所述外延层进行栅氧淀积、多晶硅淀积和掺杂工艺，并进行多晶刻蚀，然后进行源光刻，注入第一掺杂类型杂质，去除光刻层，形成源区；6)在所述外延层进行介质淀积，然后进行孔区光刻刻蚀，在完成孔区介质层刻蚀后，对孔区硅基底进行过刻蚀，最后进行金属淀积和金属光刻刻蚀，至完成了耗尽型VDMOS的制造流程。