[发明专利]一种层状羟基氧化钴前驱体的制备方法在审
申请号: | 201711485046.7 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN109987643A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 许开华;张云河;叶建;陈元骁 | 申请(专利权)人: | 荆门市格林美新材料有限公司 |
主分类号: | C01G51/04 | 分类号: | C01G51/04 |
代理公司: | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人: | 廉红果;侯峰 |
地址: | 448124 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种层状羟基氧化钴前驱体的制备方法,该方法为:首先,将去离子水、氨水以及液碱加入反应釜,配制底液;然后将氯化钴、氨水和液碱加入反应釜,通过控制进料速度控制反应,获得反应浆液;最后,将反应浆液陈化、离心洗涤和干燥,获得层状羟基氧化钴前驱体;本发明获得的层状羟基氧化钴前驱体通过液相合成法能够直接合成钴酸锂正极材料,由于其特殊层状结构,层状羟基氧化钴在嵌锂后仍会保持层状结构,将会极大的提高材料的电化学性能;并且,选用该材料作为前驱体,采用常规混锂高温煅烧,煅烧的温度和时间会更低更短,极大的降低生产过程中的能耗,降低合成成本。 | ||
搜索关键词: | 羟基氧化钴 前驱体 氨水 层状结构 反应浆液 反应釜 液碱 制备 钴酸锂正极材料 进料速度控制 电化学性能 液相合成法 高温煅烧 合成成本 降低生产 离心洗涤 去离子水 直接合成 氯化钴 陈化 底液 嵌锂 煅烧 配制 能耗 | ||
【主权项】:
1.一种层状羟基氧化钴前驱体的制备方法,其特征在于,其方法通过以下步骤实施:步骤1,将去离子水、氨水以及液碱加入反应釜,然后向反应釜通入氧气并搅拌,获得底液;步骤2,将配制好的氯化钴、氨水和液碱加入含有所述底液的反应釜中,调整所述氯化钴的进料速度以控制反应,待反应釜中的固含量达到100~300g/L,停止进料,获得反应浆液;步骤3,将所述步骤2获得的反应浆液进行陈化,然后离心洗涤,最后干燥,获得层状羟基氧化钴前驱体。
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