[发明专利]一种文物熏蒸工艺

摘要

本发明公开了一种文物熏蒸工艺，包括如下操作：将熏蒸剂与文物放入熏蒸箱内，在20～45℃下进行熏蒸1～72小时后，减压抽气1～24小时，通风置换空气1～48小时，打开熏蒸箱，移出文物；所述熏蒸剂是具有通式I：所示化学结构的化合物与通式II：所示化学结构的化合物或/和通式III：所示化学结构的化合物的复配物。实验证明：采用本发明所述熏蒸剂可实现对文物常见虫霉病害的安全有效防治，并且绿色环保；尤其是，本发明可实现在同一熏蒸环境下对多种材质的文物和各种文物霉、菌、害虫进行一次性处理，并且经过本发明熏蒸处理后的文物，能在文物馆藏环境下放置至少半年以上不再复生霉、菌、害虫。

主权项

1.一种文物熏蒸工艺，包括如下操作：将熏蒸剂与文物放入熏蒸箱内，在20～45℃下进行熏蒸1～72小时后，减压抽气1～24小时，通风置换空气1～48小时，打开熏蒸箱，移出文物；其特征在于，所述熏蒸剂是具有通式I：所示化学结构的化合物与通式II：所示化学结构的化合物或/和通式III：所示化学结构的化合物的复配物；其中，所述通式I中：R¹和R²各自独立的选自R^a取代的C₁‑C₄烷烃基、R^a取代的C₂‑C₄烯烃基、R^a取代的苯基、R^a取代的苄基、R^a取代的C₃‑C₈环烷基、R^a取代的C₃‑C₈环烯烃基、R^a取代的金刚烷基中的任意一种；所述R^a选自氢、羟基、卤素、三氟甲基、C₁‑C₃烷烃基、C₂‑C₃烯烃基中的至少一种；所述通式II中：X为卤素；R³为R^a取代的C₁‑C₄烷烃基、R^a取代的C₂‑C₄烯烃基、R^a取代的苯基、R^a取代的苄基、R^a取代的C₃‑C₈环烷基、R^a取代的C₃‑C₈环烯烃基或R^a取代的金刚烷基；所述R^a选自氢、羟基、卤素、三氟甲基、C₁‑C₃烷烃基、C₂‑C₃烯烃基中的至少一种；所述通式III中：X为卤素；R⁴为R^a取代的C₁‑C₄烷烃基、R^a取代的C₂‑C₄烯烃基、R^a取代的苯基、R^a取代的苄基、R^a取代的C₃‑C₈环烷基、R^a取代的C₃‑C₈环烯烃基或R^a取代的金刚烷基；所述R^a选自氢、羟基、卤素、三氟甲基、C₁‑C₃烷烃基、C₂‑C₃烯烃基中的至少一种。