[发明专利]MRAM器件中MTJ单元的平坦化方法与MRAM器件

摘要

本申请提供了一种MRAM器件中MTJ单元的平坦化方法与MRAM器件。该平坦化方法包括：步骤S1，在衬底的表面上设置预存储结构，预存储结构包括MTJ单元，MTJ单元的第一表面与衬底的距离为h1，MTJ单元的MTJ薄膜的远离衬底的表面与衬底的距离为h2；步骤S2，在MTJ单元的表面上设置第一介电层、抛光金属牺牲层和第二介电层，抛光金属牺牲层的第二表面与衬底的距离为h3，h2≤h3≤h1；步骤S3，对步骤S2形成的结构实施化学机械平坦化工艺，利用终点检测方法控制化学机械平坦化工艺，使得化学机械平坦化工艺去除第二表面所在平面上方的结构。该方法能准确地控制去除的终点，使得晶圆的均一性较好。

主权项

1.一种MRAM器件中MTJ单元的平坦化方法，其特征在于，所述平坦化方法包括：步骤S1，在衬底(1)的表面上设置多个相互间隔的预存储结构，各所述预存储结构包括一个MTJ单元(6)，所述MTJ单元(6)的远离所述衬底(1)的表面为第一表面，所述MTJ单元(6)包括MTJ薄膜(61)，所述第一表面与所述衬底(1)的距离为h1，所述MTJ薄膜(61)的远离所述衬底(1)的表面与所述衬底(1)的距离为h2；步骤S2，在所述MTJ单元(6)的裸露表面上设置介质单元，所述介质单元包括沿远离所述MTJ单元(6)的方向依次设置的第一介电层(8)、抛光金属牺牲层(9)以及第二介电层(10)，所述抛光金属牺牲层(9)的与所述衬底(1)距离最小的表面为第二表面，且所述第二表面远离所述衬底(1)设置，所述第二表面与所述衬底(1)的距离为h3，h2≤h3≤h1；以及步骤S3，对所述步骤S2形成的结构实施化学机械平坦化工艺，并利用终点检测方法控制所述化学机械平坦化工艺，使得所述化学机械平坦化工艺去除所述第二表面所在平面上方的结构，得到连续平整的所述第二表面。