[发明专利]半导体功率器件有效
| 申请号： | 201711489809.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994549B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 袁愿林;毛振东;刘伟;王睿 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 211103 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的至少一个MOSFET单元，所述MOSFET单元包括位于所述半导体衬底底部的第一导电类型的漏区；位于所述半导体衬底中且位于所述漏区之上的至少一个第二导电类型的集电极区，所述集电极区与所述漏区连接形成pn结结构。本发明的一种半导体功率器件能够实现电子和空穴双载流子导电，提高半导体功率器件的输出电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州东微半导体有限公司，未经苏州东微半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711489809.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一株有促生作用的蓝莓内生真菌及其应用
- 下一篇：有机电致发光器件
- 同类专利
- 专利分类
