[发明专利]硅漂移探测器

摘要

本申请提供了一种硅漂移探测器。该硅漂移探测器包括：包括探测区的N型硅片，探测区的正面区域包括间隔设置的一个正面环形N区与多个正面环形P区，探测区的背面区域包括P型区；隔离层，设置在N型硅片的正面上，隔离层具有多个间隔设置的第一接触孔；多个间隔的正面电极，包括阴极与阳极，阴极一一对应地设置在与正面环形P区连接的第一接触孔中，阳极置在与正面环形N区连接的第一接触孔中；背面电极，设置在P型区的远离探测区的正面区域的表面上；多个间隔的分压部，设置在隔离层的远离N型硅片的表面上，分压部位于相邻的两个阴极之间的隔离层的表面上，分压部与相邻的两个阴极分别电连接，分压部为半导体分压部。该探测器使用时操作简单。

主权项

1.一种硅漂移探测器，其特征在于，所述硅漂移探测器包括多个依次排列探测单元，各所述探测单元包括：N型硅片(10)，所述N型硅片(10)包括探测区，所述探测区的正面区域包括间隔设置的一个正面环形N区(11)与多个正面环形P区(12)，至少部分所述正面环形P区(12)设置在所述正面环形N区(11)的周向外侧，所述探测区的背面区域包括P型区(13)；隔离层(20)，设置在所述N型硅片(10)的正面上，所述隔离层(20)具有多个间隔设置的第一接触孔，其中的一个所述第一接触孔与所述正面环形N区(11)的至少部分表面连接，剩余的各所述第一接触孔对应与一个所述正面环形P区(12)的至少部分表面连接；多个间隔的正面电极(30)，包括阴极(31)与阳极(32)，所述阴极(31)一一对应地设置在与所述正面环形P区(12)连接的所述第一接触孔中，所述阳极(32)设置在与所述正面环形N区(11)连接的所述第一接触孔中；背面电极(40)，设置在所述P型区(13)的远离所述探测区的正面区域的表面上；以及多个间隔的分压部(50)，设置在所述隔离层(20)的远离所述N型硅片(10)的表面上，各所述分压部(50)位于相邻的两个所述阴极(31)之间的所述隔离层(20)的表面上，各所述分压部(50)与相邻的两个所述阴极(31)分别电连接，所述分压部(50)为半导体分压部。