[发明专利]栅极电源偏置电路和功率放大器在审
| 申请号： | 201711491291.9 | 申请日： | 2017-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108173522A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 董毅敏;蔡道民;汪江涛;高学邦;段雪 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03F1/22 | 分类号： | H03F1/22;H03F1/42;H03F3/21 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王丽巧 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及放大器技术领域，提供了栅极电源偏置电路和功率放大器。该栅极电源偏置电路应用于毫米波功率放大器，包括：微带线，一端与毫米波功率放大器中的高电子迁移率晶体管HEMT的栅极连接；第一电阻单元，一端与所述微带线的另一端连接；第二电阻单元，第一端与所述第一电阻单元的另一端连接，第二端与外部栅极电源连接；去耦电容，一端与所述第二电阻单元的第一端连接，另一端接地；其中，所述第二电阻单元用于对所述去耦电容未能处理的低频信号形成高阻，抑制低频耦模振荡。采用上述栅极电源偏置电路的功率放大器低频信号下的稳定性较好。 1 | ||
| 搜索关键词： | 电阻单元 栅极电源 偏置电路 功率放大器 毫米波功率放大器 低频信号 一端连接 第一端 微带线 电容 去耦 高电子迁移率晶体管 放大器技术 栅极连接 接地 振荡 高阻 外部 应用 | ||
【主权项】：
1.一种栅极电源偏置电路，应用于毫米波功率放大器，其特征在于，包括：
微带线，一端与毫米波功率放大器中的高电子迁移率晶体管HEMT的栅极连接；
第一电阻单元，一端与所述微带线的另一端连接；
第二电阻单元，第一端与所述第一电阻单元的另一端连接，第二端与外部栅极电源连接；
去耦电容，一端与所述第二电阻单元的第一端连接，另一端接地；
其中，所述第二电阻单元用于对所述去耦电容未能处理得低频信号形成高阻，抑制低频耦模振荡。
2.如权利要求1所述的栅极电源偏置电路，其特征在于，所述第二电阻单元的阻值范围为180欧姆至220欧姆。3.如权利要求2所述的栅极电源偏置电路，其特征在于，所述第二电阻单元包括第二电阻R2，第二电阻R2的两端分别与所述第二电阻单元的两端连接。4.如权利要求3所述的栅极电源偏置电路，其特征在于，所述第二电阻R2为可调电阻。5.如权利要求3所述的栅极电源偏置电路，其特征在于，所述第二电阻R2的个数为两个以上。6.如权利要求1至5任一项所述的栅极电源偏置电路，其特征在于，所述第一电阻单元包括第一电阻R1。7.如权利要求1至5任一项所述的栅极电源偏置电路，其特征在于，所述微带线为1/4波长微带线。8.一种功率放大器，其特征在于，包括多级级联放大单元和多个如权利要求1至7任一项所述的栅极电源偏置电路，每级级联放大单元对应两个所述栅极电源偏置电路。9.如权利要求8所述的栅极电源偏置电路，其特征在于，所述多级级联放大单元为三级级联放大单元，每级级联放大单元之间的推比为1:2:4。10.如权利要求9所述的栅极电源偏置电路，其特征在于，每级级联放大单元之间通过匹配网络连接，所述匹配网络包括：串联的第三电阻和第一电容。
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