[发明专利]一种抗污染型荷电膜材料的制备方法在审
申请号: | 201711491445.4 | 申请日: | 2017-12-30 |
公开(公告)号: | CN108176232A | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 孙祎;蒋益 | 申请(专利权)人: | 孙祎 |
主分类号: | B01D61/42 | 分类号: | B01D61/42;B01D67/00;C02F1/469 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种抗污染型荷电膜材料的制备方法,属于荷电膜材料材料技术领域。本发明通过二硫化钼高温沉积至二氧化硅材料表面形成二硫化钼包覆薄膜,并添加至荷电膜材料内部,由于荷电膜材料内部含有包覆有二硫化钼的二氧化硅,在改善膜材料力学性能的同时,由于二硫化钼对太阳光的可见光部分有着很强的吸收作用,因此能直接利用太阳光,吸收太阳光子生成空穴-电子对,空穴再与水反应生成有着极强反应活性的‑OH自由基,进而可以将污染物或有机染料降解为无机离子和有机小分子,有效改善荷电膜材料的耐污染性能。 | ||
搜索关键词: | 荷电膜 二硫化钼 空穴 材料内部 抗污染型 太阳光 制备 材料力学性能 二氧化硅材料 有机染料降解 耐污染性能 有机小分子 可见光 包覆薄膜 表面形成 材料材料 二氧化硅 反应活性 高温沉积 太阳光子 无机离子 水反应 包覆 电膜 吸收 污染物 | ||
【主权项】:
1.一种抗污染型荷电膜材料的制备方法,其特征在于具体制备步骤为:(1)按重量份数计,分别称量45~50份N‑甲基‑2‑吡咯烷酮、6~8份聚醚砜、6~8份氯乙酸和1~2份氯化铝搅拌混合并水浴加热,静置冷却至室温,过滤得滤饼并洗涤干燥干燥得改性聚醚砜颗粒;(2)按质量比3:2,将纳米二氧化硅与二硫化钼粉末搅拌混合并置于石英管中,将石英管置管式气氛炉中,在氩气气氛下保温反应,静置冷却至室温,得沉积改性二氧化硅;(3)按质量比1:1,将冰晶石与沉积改性二氧化硅混合并置于球磨罐中,球磨处理并过筛,收集得混合粉末,按重量份数计,分别称量55~60份N‑甲基‑2‑吡咯烷酮、10~15份改性聚醚砜颗粒、3~5份混合粉末、1~2份氯化锂和1~2份聚乙烯醇搅拌混合并水浴加热16~20h,静置冷却至室温,得铸膜浆液;(4)将铸膜浆液涂覆至结净玻璃板表面,静置固化后洗涤干燥,即可制备得所述的抗污染型荷电膜材料。
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