[发明专利]稀磁半导体及其制备方法

摘要

本发明提供了一种稀磁半导体的制备方法，制备方法包括如下步骤：制备复合氧化铟靶材；提供氧化铝基片，并对氧化铝基片进行清洗和抛光，得到第一氧化铝基片；将第一氧化铝基片放入真空室进行预溅射，得到第二氧化铝基片；利用脉冲激光沉积方法，在第二氧化铝基片上沉积氧化铜薄膜，得到第一复合氧化铝基片；利用脉冲激光沉积方法，在第一复合氧化铝基片上沉积氧化亚铜薄膜，得到第二复合氧化铝基片；利用脉冲激光沉积方法，在第二复合氧化铝基片上沉积铁钴钆掺杂的氧化铟薄膜。本发明通过氧化铟薄膜中掺杂铁、钴、钆原子，大幅度提高了稀磁半导体的磁性能，使得复合薄膜能够有效的用于存储器件。

主权项

1.一种稀磁半导体的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：制备复合氧化铟靶材，所述复合氧化铟靶材的分子式为(In1‑x‑y‑zFexCoyGdz)2O3，其中，x＝0.02‑0.04，y＝0.01‑0.02，z＝0.01‑0.02；提供氧化铝基片，并对所述氧化铝基片进行清洗和抛光，得到第一氧化铝基片；将所述第一氧化铝基片放入真空室进行预溅射，得到第二氧化铝基片；利用脉冲激光沉积方法，在所述第二氧化铝基片上沉积氧化铜薄膜，得到第一复合氧化铝基片；利用脉冲激光沉积方法，在所述第一复合氧化铝基片上沉积氧化亚铜薄膜，得到第二复合氧化铝基片；利用脉冲激光沉积方法，在所述第二复合氧化铝基片上沉积铁钴钆掺杂的氧化铟薄膜。