[发明专利]一种晶圆衬底基片

摘要

本发明涉及晶圆衬底基片技术领域，公开了一种晶圆衬底基片，包括以下生产步骤：1）使用0.1mm厚度以下树脂薄膜材料和0.21mm厚度蓝玻璃作为晶圆衬底基板；2）制备提高晶圆衬底基片表面强度的抛光液；3）使用抛光液对晶圆衬底基片表面进行抛光，将抛光液均匀的喷淋在晶圆衬底基片的表面，进行化学抛光，化学抛光时间为10分钟‑20分钟；4）化学抛光后，将晶圆衬底基片浸泡在保护液中，浸泡时间为15分钟‑30分钟，之后将晶圆衬底基片放入硝酸钾钢化液中进行化学强化。该一种晶圆衬底基片，通过使用高纯度的石英硅环作为低折射率蒸镀物质；使用结晶态高纯度的氧化钛作为高折射率蒸镀物质，对镀膜膜系设计进行改良。 1

主权项

1.一种晶圆衬底基片，其特征在于，包括以下生产步骤：

1）使用0.1mm厚度以下树脂薄膜材料和0.21mm厚度蓝玻璃作为晶圆衬底基板；

2）制备提高晶圆衬底基片表面强度的抛光液；

3）使用抛光液对晶圆衬底基片表面进行抛光，将抛光液均匀的喷淋在晶圆衬底基片的表面，进行化学抛光，化学抛光时间为10分钟‑20分钟；

4）化学抛光后，将晶圆衬底基片浸泡在保护液中，浸泡时间为15分钟‑30分钟，之后将晶圆衬底基片放入硝酸钾钢化液中进行化学强化；

5）将进行化学强化后的晶圆衬底基片在抛光盘上盘减压下，抛光盘转速1‑20rpm抛光，直至75％的晶圆衬底基片的厚度差△h小于0.3mm，采用抛光盘上盘自重方式，抛光盘转速提高10‑25rpm，抛光时间1‑500圈，直至75％的晶圆衬底基片的厚度差△小于0.02mm，再次采用抛光盘上盘自重方式，抛光盘转速提高至20‑35rpm，抛光至合适尺寸；

6）使用高纯度的石英硅环作为低折射率蒸镀物质，使用结晶态高纯度的氧化钛作为高折射率蒸镀物质；

7）将晶圆衬底基片以及镀膜材料放入洁净区，再由风机通过吹淋喷嘴喷出经过高效过滤的洁净氮气强风吹除晶圆衬底基片表面吸附尘埃，吹淋时间为15s；

8）：对晶圆衬底基片进行蒸镀，使用真空镀膜装置对步骤6）中的材料进行夹持镀膜，实现镀膜厚度均匀分布，保证滤光片镀膜一致性，使用IAD辅助低温真空蒸镀30‑50层的红外截止膜后，直至材料保证平面度满足要求，无形变产生；

6）表面检查及表面贴膜保护处理：当材料入射角0°→30°变化时，保证△λ（T=50％）中心波长漂移变化应小于5nm；△λ（T=15％）光谱波长漂移变化应小于20nm后，使用贴膜机进行表面贴膜保护；

7）膜层一次检查处理：将材料经过130℃加热试验后，其加热时间为15‑30min，观察膜层是否出现开裂问题后，完成生产。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆衬底基片，其特征在于，所述步骤2）中抛光液的组成成分按照以下配重比：HF 1％‑20％、H2SO4 1％‑20％、HNO3 1％‑30％、HCL 1％‑20％、H3PO4 1％‑8％、纯水40‑95％。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆衬底基片，其特征在于，所述步骤4）中的保护液包含以下成分的一种或其组合物：聚硅氧烷、硅酸钠、氢氧化钠、硅烷偶联剂。