[发明专利]压电式磁性随机存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201711498335.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994599A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王开友;张保;曹易;李予才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/22;G11C11/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种压电式磁性随机存储器及其制备方法，通过对压电层两端施加电压使压电薄膜产生形变，该形变转移到磁自由层中，控制磁隧道结中磁自由层磁矩发生90°或接近90°翻转，包括垂直隧道结中磁自由层的磁矩从垂直于层表面转向面内方向(Vertical to Parallel，V‑P型)，或磁自由层的磁矩在面内发生90°或接近90°翻转(Parallel to Parallel，P‑P型)，通过测试磁隧道结两端电压的变化，得到隧穿电阻的变化，进而实现信息的写入。本公开不再使用高密度电流实现磁自由层磁化翻转传统方式，有效降低能耗，热效应得到有效控制，进而延长器件的工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 磁自由层 翻转 磁矩 磁性随机存储器 磁隧道结 压电式 形变 制备 热效应 垂直 磁化 两端施加电压 有效降低能耗 高密度电流 传统方式 工作寿命 两端电压 隧穿电阻 压电薄膜 有效控制 内方向 隧道结 压电层 转向面 写入 测试 | ||
【主权项】：
1.一种压电式磁性随机存储器，呈柱状结构，其包括：衬底；底电极层，其形成在所述衬底上；压电层，其形成在所述底电极层上；所述压电层划分成若干压电单元块；缓冲层，其形成在所述压电层上；磁隧道结，其形成在所述缓冲层上，所述磁隧道结划分成若干磁隧道结单元，所述磁隧道结包括：磁自由层，其形成在缓冲层上；隧穿绝缘层，其形成在磁自由层上，其为氧化物薄膜；以及固定磁性层，其沉积在隧穿绝缘层上；反铁磁层，其形成在固定磁性层上；以及保护层，其形成在所述反铁磁层上。
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