[发明专利]一种Mg-TM超多层复合储氢薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201711499277.3 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108149211A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 刘江文;张锦国;符译元;王辉;欧阳柳章;曾美琴;朱敏 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Mg‑TM超多层复合储氢薄膜及其制备方法。该Mg‑TM超多层复合储氢薄膜，为Mg与TM原子层交替沉积成膜的Mg‑TM复合薄膜，且Mg‑TM复合薄膜的外表面具有Pd封盖层；所述TM为过渡族金属元素Ti、Ni或Nb。本发明采用廉价的超高真空磁控溅射系统的半共溅射工艺方法制备Mg‑TM超多层复合储氢薄膜，制备工艺简单，成本低廉，可重复性好，制备得到具有Mg明显择优取向的高质量Mg‑TM超多层复合储氢薄膜，且制备的薄膜具有更低的吸/脱氢温度和更快的吸/脱氢速率，在423K的温度以及1.15MPa的氢压下，500s吸氢量达到3.4wt％；在423K的温度下，600s脱氢量达到2.1wt％。 | ||
| 搜索关键词： | 多层复合 薄膜 储氢 制备 复合薄膜 脱氢 过渡族金属元素 磁控溅射系统 超高真空 交替沉积 可重复性 外表面具 择优取向 制备工艺 封盖层 共溅射 脱氢量 吸氢量 原子层 成膜 氢压 | ||
【主权项】：
一种Mg‑TM超多层复合储氢薄膜，其特征在于，为Mg与TM原子层交替沉积的Mg‑TM复合薄膜，且Mg‑TM复合薄膜的外表面具有Pd封盖层；所述TM为Ti、Ni或Nb；复合储氢薄膜中，单层的Mg薄膜由5～8个原子层构成，厚度为1～2nm；单层的TM薄膜由1～3个原子层构成，厚度为0.2～0.7nm；Pd封盖层的厚度为10～30nm；薄膜的总厚度为1000～3000nm。
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