[发明专利]一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置在审
| 申请号： | 201711499329.7 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994049A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 孙雷 | 申请（专利权）人： | 北京德瑞工贸有限公司 |
| 主分类号： | G09F9/33 | 分类号： | G09F9/33 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置，通过计算机控制MOS集成电路，MOS集成电路能分别控制微小的半导体激光二极管阵列中的每一个半导体激光二极管开关和强弱，最终形成图像。Micro LD与Micro LED相比具有单位面积上更大的光强、更好的方向性与更好的相干性，在工业领域和显示领域有更广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光二极管 半导体激光二极管阵列 计算机控制 工业领域 相干性 光强 强弱 图像 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置：部件(1)衬底、部件(2)MOS集成电路、部件(3)半导体激光二极管阵列、部件(4)外部控制系统；通过部件(4)外部控制系统可独立寻址控制部件(2)MOS集成电路上的部件(22)电极阵列的每一个电极供电状态，进而通过控制部件(22)电极阵列中的每一个电极的供电独立控制每一个部件(31)半导体激光二极管发光与熄灭，通过可控的每个部件(31)半导体激光二极管发光与熄灭最终组成所需的特定激光图案。
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