[实用新型]一种基于N‑MOSFET的直流输入防反接电路有效
| 申请号： | 201720008845.4 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN206379724U | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 吴长树 | 申请（专利权）人： | 科蒂斯技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于N‑MOSFET的直流输入防反接电路，包括在直流输入端口处正极母线上串联的一颗N沟道增强型场效应管N‑MOSFET，所述直流输入的电流方向由N‑MOSFET的源极指向漏极，所述N‑MOSFET的栅极连接有栅极驱动电源。所述N‑MOSFET的漏源耐压VDS高于直流输入最高电压设定的一定裕量。所述栅极驱动电源包括依次串联构成回路的耦合电感L1‑D、整流二极管D3、电阻R15和稳压二极管Z1，Z1的阳极连接直流输入端口，阴极连接N‑MOSFET的栅极。本实用新型在设计合理的情况下，能有效的实现输入极性反接保护，且不会产生需要维护的损坏，在较大电流时所产生的功率损耗相对于串入二极管方案的损耗要小得多，对电路系统的正常工作影响很小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mosfet 直流 输入 反接 电路 | ||
【主权项】：
一种基于N‑MOSFET的直流输入防反接电路，其特征在于：包括在直流输入端口处正极母线上串联的一颗N沟道增强型场效应管N‑MOSFET，所述直流输入的电流方向由N‑MOSFET的源极指向漏极，所述N‑MOSFET的栅极连接有栅极驱动电源。
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