[实用新型]一种实现发动机负载突降时高压抑制的产品保护电路有效

专利信息
申请号: 201720008851.X 申请日: 2017-01-05
公开(公告)号: CN206668409U 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 刘明达 申请(专利权)人: 科蒂斯技术(苏州)有限公司
主分类号: F02B77/08 分类号: F02B77/08;F02N15/10
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 代理人: 范晴
地址: 215021 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种实现发动机负载突降时高压抑制的产品保护电路,包括电阻R1~R5、稳压管Z1~Z2、电压基准源TL431,PMOS管Q1和晶体管Q2,其中PMOS管Q1源极连接电源输入端Vin,漏极作为电源输出端Vout,栅极依次通过电阻R4和晶体管Q2接地;所述电阻R1与R5串联在Vin于地之间组成分压取样电路,取样电压输出连接TL431的REF端,TL431的阳极接地,阴极分别通过电阻R2连接Vin、通过稳压管Z2连接晶体管Q2的基极;所述电源输入端Vin还分别通过并联的稳压管Z1、电阻R3连接PMOS管Q1的栅极。本实用新型所提供的采用分立元件实现发动机负载突降时高压抑制的产品保护电路,不仅有效降低了成本,Vout相较Vin压降很小,而且在电池电压很低的情况也可正常工作。
搜索关键词: 一种 实现 发动机 负载 突降时 高压 抑制 产品 保护 电路
【主权项】:
一种实现发动机负载突降时高压抑制的产品保护电路,其特征在于:包括电阻R1~R5、稳压管Z1~Z2、电压基准源TL431,PMOS管Q1和晶体管Q2,其中PMOS管Q1源极连接电源输入端Vin,漏极作为电源输出端Vout,栅极依次通过电阻R4和晶体管Q2接地;所述电阻R1与R5串联在Vin于地之间组成分压取样电路,取样电压输出连接TL431的REF端,TL431的阳极接地,阴极分别通过电阻R2连接Vin、通过稳压管Z2连接晶体管Q2的基极;所述电源输入端Vin还分别通过并联的稳压管Z1、电阻R3连接PMOS管Q1的栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科蒂斯技术(苏州)有限公司,未经科蒂斯技术(苏州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720008851.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top