[实用新型]一种双面扇出型晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 201720039593.1 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN206564243U | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 仇月东;林正忠;何志宏 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/528;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种双面扇出型晶圆级封装结构，其至少包括：至少两个第一焊盘；覆盖于所述第一焊盘上表面和侧壁的重新布线层；附着于所述重新布线层上表面的第一裸片和第二裸片；形成于所述重新布线层上表面的包裹所述第一裸片和所述第二裸片的具有至少两个通孔的第一塑封层；形成于所述第一塑封层上的电极凸块和钝化层；附着于所述第一焊盘下表面的第三裸片，且所述第三裸片通过所述第一焊盘实现与所述重新布线层的电性连接；形成于所述重新布线层下表面的包裹所述第三裸片的第二塑封层；以及形成于所述电极凸块上的焊料球。本实用新型相对于现有技术，可以应用于不断增加厚度的塑封层中，对封装裸片的厚度无需进行限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 扇出型晶圆级 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种双面扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述双面扇出型晶圆级封装结构至少包括：至少两个第一焊盘；覆盖于所述第一焊盘上表面和侧壁的重新布线层；附着于所述重新布线层上表面的第一裸片和第二裸片，且所述第一裸片和所述第二裸片分别与所述重新布线层实现电性连接；形成于所述重新布线层上表面的包裹所述第一裸片和所述第二裸片的具有至少两个通孔的第一塑封层；形成于所述第一塑封层上的电极凸块和钝化层，其中，所述电极凸块的一部分位于所述通孔内，另一部分位于所述钝化层内；附着于所述第一焊盘下表面的第三裸片，且所述第三裸片通过所述第一焊盘实现与所述重新布线层的电性连接；形成于所述重新布线层下表面的包裹所述第三裸片的第二塑封层；以及形成于所述电极凸块上的焊料球。
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