[实用新型]一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统有效
| 申请号： | 201720040065.8 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN206353191U | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 孙鹏;李沫;汤戈;龙衡;李倩;陈飞良;代刚;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本实用新型可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应，模拟伽马射线等辐射源作用于半导体器件的辐射电离效应，填补了宽禁带半导体器件的辐射电离效应激光模拟系统的空白，且该系统具有结构紧凑、安全性高等特点，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的对宽禁带半导体器件进行抗辐射加固设计提供了有效手段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽禁带 半导体器件 辐射 效应 激光 模拟 系统 | ||
【主权项】：
一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，其特征在于：包括短波长脉冲激光产生与衰减系统（I）、显微成像与能量监测系统（II）、测试与控制系统（III）；所述短波长脉冲激光产生与衰减系统（I）安装于显微成像与能量监测系统（II）上方，所述测试与控制系统（III）安装于显微成像与能量监测系统（II）下方。
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