[实用新型]具有逃气槽的CMOS图像传感器封装结构有效
申请号: | 201720071649.1 | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN206441730U | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 黄志涛 | 申请(专利权)人: | 惠州市超芯微精密电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙)44349 | 代理人: | 卢浩 |
地址: | 516000 广东省惠*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种具有逃气槽的CMOS图像传感器封装结构,本实用新型的封装结构采用机械式的固定方式,可满足长期稳定使用的要求,并对于封装结构的热稳定性有明显的改善;本实用新型的逃气槽结构能够有效阻隔外界污染,可得到封装良率高的影像。 | ||
搜索关键词: | 具有 逃气槽 cmos 图像传感器 封装 结构 | ||
【主权项】:
具有逃气槽的CMOS图像传感器封装结构,其特征在于:包括基座和板盖,所述基座包括底座、设置在底座上方中心区域的安装槽、在底座上方两侧延伸的卡块,所述卡块的下方设有滑槽,所述滑槽与板盖配合连接;所述底座依次包括安装层、导电层、散热层,所述安装层的中心区域设有安装槽,所述安装槽内部位于所述导电层上方设有稳定层,所述稳定层内对称设有导电通孔,所述导电通孔分别感光传感器和导电层连接;所述安装层内部围绕所述安装槽设有逃气槽,所述逃气槽包括至少3层环形通道以及与外界联通的槽口,所述槽口处设有挡板,所述相邻的环形通道间设有开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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