[实用新型]一体式干蚀刻清洁设备有效
| 申请号： | 201720072923.7 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN206422050U | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 刘品均;杨峻杰;陈松醮;蔡明展;林子平 | 申请（专利权）人： | 友威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 王玉双,李岩 |
| 地址： | 中国台湾桃源市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种一体式干蚀刻清洁设备，是用以对一基材进行蚀刻，并清洁去除该基材进行蚀刻后产生的一充填物，该一体式干蚀刻清洁设备包含有一传输模块、一蚀刻模块以及一湿式清洁模块，该传输模块用以加载、载出该基材，该蚀刻模块连接该传输模块并对该基材进行蚀刻，而产生该充填物，该湿式清洁模块连接该蚀刻模块与该传输模块并对该基材进行清洁以去除该充填物。如此，在蚀刻完后，直接将该基材运送至该湿式清洁模块清洗去除掉该充填物，而可防止该充填物直接运出该蚀刻模块而对工艺造成污染的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 体式 蚀刻 清洁 设备 | ||
【主权项】：
一种一体式干蚀刻清洁设备，是用以对一基材进行蚀刻，并清洁去除该基材进行蚀刻后产生的一充填物，其特征在于该一体式干蚀刻清洁设备包含有：一加载、载出该基材的传输模块；一连接该传输模块并对该基材进行蚀刻的蚀刻模块；以及一连接该蚀刻模块与该传输模块并清洁去除该充填物的湿式清洁模块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
