[实用新型]具有立体超结的金属氧化半导体场效功率组件有效
| 申请号： | 201720082216.6 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN206401325U | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 熊志文;叶人豪;凃宜融;曾婉雯 | 申请（专利权）人： | 通嘉科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有立体超结的金属氧化半导体场效功率组件。所述金属氧化半导体场效功率组件包含一第一金属层、一基底层、一磊晶层、多个第一沟槽井、多个第二沟槽井、多个基体结构层、多个多晶硅层及一第二金属层。每一第一沟槽井和所述磊晶层之间以及对应所述每一第一沟槽井的一基体结构层和所述磊晶层之间形成一耗尽区的部份，以及对应所述每一第一沟槽井的一第二沟槽井和所述磊晶层之间形成所述耗尽区的其余部份。因此，本实用新型可利用所述多个第二沟槽井增加所述金属氧化半导体场效功率组件的击穿电压和降低所述金属氧化半导体场效功率组件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 立体 金属 氧化 半导体 功率 组件 | ||
【主权项】：
一种具有立体超结的金属氧化半导体场效功率组件，包含：一第一金属层；一基底层，形成于所述第一金属层之上；一磊晶层，形成于所述基底层之上；多个第一沟槽井，形成于所述磊晶层之中；多个基体结构层，其中对应每一第一沟槽井的一基体结构层形成于所述每一第一沟槽井之上和所述磊晶层之中，且所述每一第一沟槽井和所述磊晶层之间以及所述基体结构层和所述磊晶层之间形成一耗尽区的部份；多个多晶硅层，其中每一多晶硅层形成于两相邻基体结构层和所述磊晶层之上，且所述每一多晶硅层被一氧化层包覆；一第二金属层，形成于所述多个基体结构层和多个氧化层之上；及其特征在于还包含：多个第二沟槽井，其中对应所述每一第一沟槽井的一第二沟槽井形成于所述每一第一沟槽井之下，且所述第二沟槽井和所述磊晶层之间形成所述耗尽区的其余部份；其中所述基底层和所述磊晶层具有一第一导电类型，所述多个第一沟槽井和所述多个第二沟槽井具有一第二导电类型，以及所述多个第二沟槽井是用于增加所述金属氧化半导体场效功率组件的击穿电压和降低所述金属氧化半导体场效功率组件的导通电阻。
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