[实用新型]一种在大角度下高透波率的频率选择结构有效
| 申请号： | 201720084325.1 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN206422197U | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张岭;陈志勇 | 申请（专利权）人： | 武汉灵动时代智能技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种在大角度下高透波率的频率选择结构，包括第一超材料片层、第二超材料片层和填充层，所述第一超材料片层和填充层设有两层，所述第二超材料片层位于两层第一超材料片层间，所述第二超材料片层与两层第一超材料片层通过填充层连接；所述第一超材料片层包括两层介质层和设置在两层介质层间的频率选择结构A；所述第二超材料片层包括两层介质层和设置在两层介质层间的频率选择结构B。本实用新型频率选择结构A中的铜层形成了一个等效电容；频率选择结构B中的金属线框形成了一个等效电感，通过超材料等效电路LC滤波器理论，利用非谐振结构设计，提高在大角度下的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 角度 下高透波率 频率 选择 结构 | ||
【主权项】：
一种在大角度下高透波率的频率选择结构，包括第一超材料片层、第二超材料片层和填充层，其特征在于，所述第一超材料片层和填充层设有两层，所述第二超材料片层位于两层第一超材料片层间，所述第二超材料片层与两层第一超材料片层通过填充层连接；所述第一超材料片层包括两层介质层和设置在两层介质层间的频率选择结构A；所述第二超材料片层包括两层介质层和设置在两层介质层间的频率选择结构B。
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