[实用新型]N型双面电池有效
申请号: | 201720095603.3 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN206524336U | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 李华;鲁伟明 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0352 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 邓道花 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了N型双面电池,包括N型基体,N型基体,一侧依次设置有重掺杂发射极区域、轻掺杂发射极区域、正面钝化减反膜、正面电极,另一侧依次设置有背面钝化减反膜和背面电极,并且背面电极与N型基体连接的位置处设有局部掺杂背表面场,其中正面电极穿过正面钝化减反膜与重掺杂发射极形成欧姆接触;背面电极穿过背面钝化减反膜与局部磷掺杂背表面场形成欧姆接触。本实用新型的N型双面电池,在金属区域下增加掺杂浓度和减少接触面积来降低金属区域的复合,减少掺杂区域面积降低掺杂区域复合,从而减少整体复合,提高电池的性能。 | ||
搜索关键词: | 双面 电池 | ||
【主权项】:
N型双面电池,其特征在于:包括N型基体(1),N型基体(1),一侧依次设置有的重掺杂发射极区域(2)、轻掺杂发射极区域(3)、正面钝化减反膜(4)、正面电极(5),另一侧依次设置背面钝化减反膜(7)和背面电极(8),并且背面电极8与N型基体1连接的位置处设有局部掺杂背表面场(6);其中:正面电极(5)穿过正面钝化减反膜(4)与重掺杂发射极(2)形成欧姆接触;背面电极(8)穿过背面钝化减反膜(7)与局部掺杂背表面场(6)形成欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州隆基乐叶光伏科技有限公司,未经泰州隆基乐叶光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720095603.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的