[实用新型]无基板高散热性的多芯片线性功率放大器结构有效
| 申请号： | 201720099827.1 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN206460952U | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王宏杰;马雷;彭小滔 | 申请（专利权）人： | 合肥雷诚微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/538;H01L23/367;H01L25/07 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 | 代理人： | 陆丽莉,何梅生 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种无基板高散热性的多芯片线性功率放大器结构，其特征是将不同元件按功能要求组合成若干个功率放大模块物理架构，集成在一块共同的可拆卸大载片上，通过把功率放大模块中的各元件先整体塑封，塑封后载片需要拆掉，将元件输入输出电极露出并且在塑封体表面形成多层互连金属电路以及外引脚焊盘和焊球形成模块外引脚，从而构成若干个完整的线性功率放大模块，最后切割分离成单个完整功能的功率放大模块。本实用新型不仅有利于减少互连部分与射频通路的耦合，减少接地电极互连的电感，而且更高的布线密度可以大大减少互连电路层数，从而能够缩短接地电极散热的路径，达到优化模块性能和高散热性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 无基板高 散热 芯片 线性 功率放大器 结构 | ||
【主权项】：
一种无基板高散热性的多芯片线性功率放大器结构，其特征是包括：功率放大芯片(110)、CMOS芯片(120)以及若干个无源器件(130)；所述功率放大芯片(110)、CMOS芯片(120)以及若干个无源器件(130)的背面和四周通过粘结剂覆盖有塑封层(200)，所述功率放大芯片(110)和CMOS芯片(120)以及若干个无源器件(130)的正面覆盖有介电层(300)；所述介电层(300)中包含多层金属电路层(310)，并与所述功率放大芯片(110)和CMOS芯片(120)的输入输出电极(140)以及若干个无源器件(130)的外焊点相连通；在所述介电层(300)的表面设置外引脚焊盘(320)，并与所述多层金属电路层(310)相连通；在所述外引脚焊盘(320)上焊接有金属焊球(400)；从而形成单个完整功能的功率放大模块；由若干个单个完整功能的功率放大模块均匀排布，从而形成多芯片线性功率放大器结构。
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